SK하이닉스, ‘용인 1기 팹’ 본격 착공 돌입

용인 반도체 클러스터에 건설될 SK하이닉스의 1기 팹이 본격 착공에 들어갔다.

24일 SK하이닉스에 따르면 용인시의 건축 허가가 지난 21일 승인됐다. 해당 클러스터는 총 415만m2(약 126만 평) 규모 부지이며 SK하이닉스 팹이 약 60만 평을 차지한다. 여기에 소부장 업체 협력화단지 14만 평, 인프라 부지 12만 평이다. 소재지는 용인시 처인구 원삼면이다.

SK하이닉스는 이 곳에 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정. 첫 번째 팹은 오는 2027년 5월 준공을 목표로 하고 있다. 회사 측은 HBM을 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로서 급증하는 AI 메모리 반도체 수요를 적기에 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도하겠다는 계획이다.

아울러 클러스터 내 50여 개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정이다.

문용필 기자 eugene@kmjournal.net